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10月25日,日本技术开发商Nitride Semiconductors宣布成功开发了R/G/B三种可见光范围内的Micro LED,红绿蓝光的波长分别是620nm、510nm、450nm,并基于此推出结合Micro UV LED的试用套件。

据LEDinside了解,Nitride于2018年成功开发尺寸为12μm x 24μm、波长为385nm的高效Micro UV LED,并在2021年先后在英国、德国、法国、美国等地区获得专利。Nitride利用该专利技术激发红、绿、蓝荧光粉来制备全彩显示屏,并成功将Micro UV LED芯片微缩至12μm x 24μm,芯片之间在水平方向和垂直方向上的距离皆为5μm,可用于Micro LED显示器上,有望应用到下一代AR眼镜和智能眼镜等可穿戴设备中。

彼时,Nitride表示,这项技术能够降低显示器用Micro UV LED芯片的成本,Nitride正在开发大规模量产化的技术,现已向用户提供样品。如今,Nirtide在此基础上新增了可见光范围内的Micro LED,全彩化Micro LED开发进程提速。

红、绿、蓝、紫外Micro LED发射波长数据(48μm×48μm)

Nitride介绍,为了方便用户对比每种颜色的特点,公司制备了一个Micro RGB+UV LED芯片试用套件,该套件由四种波长的Micro LED组成(四合一套件),包括红、绿、蓝、紫外光。Nitride表示,采用Micro RGB+UV LED套件,Micro LED显示器开发商可以尝试不同波长和尺寸的芯片,借此选出适用于最适合量产Micro LED显示器的芯片。

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红光Micro LED芯片发光

值得关注的是,Micro LED的全彩化一直以来都是行业性难题,尤其是红光LED的生产和效率问题,不过GaN材料被视作能够解决红光Micro LED性能问题并助力实现全彩化的佳选。近几年来,首尔半导体、Porotech、晶能光电等全球厂商积极通过产学研合作,借力GaN材料突破了红光LED的问题,获得实质性进展,Nitride同样如此。

24μm×48μm红光Micro LED芯片

此次Nitride正是利用InGaN代替GaAs或GaP等传统材料,实现了红光LED的开发,此举又一次验证了GaN材料的应用潜力,也意味着Micro LED的全彩化瓶颈正在逐步实现突破,量产进度可期。(LEDinside Janice编译)

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作者:余老师 分类:基建项目中心 浏览: